Description:

Invenţia se referă la un detector pentru senzorii de gaze fotoacustici, realizat în tehnologie MEMS. Detectorul conform invenţiei conţine un diapazon (102) din siliciu, realizat prin corodare, care este acoperit cu un strat piezoelectric ce este încorporat într-un tranzistor (103) cu filme subţiri de tip "poartă-deasupra", ansamblul astfel creat funcţionând astfel încât undele de presiune generate de absorbţia luminii între cele două braţe ale diapazonului (102), de către gazul care se doreşte a fi monitorizat, fac diapazonul (102) să vibreze, vibraţiile fiind transformate de stratul piezoelectric în sarcini electrice care modulează curentul de drenă prin tranzistorul (103) cu filme subţiri.