Description:

Invenţia se referă la un procedeu de realizare a unui senzor cu fototranzistor, cu efect de câmp, integrat cu ghid de undă, utilizabil la detecţia semnalelor optice, precum şi la realizarea circuitelor optice integrate, cu aplicaţii în interconexiuni optice şi detecţia optică a poluanţilor chimici. Procedeul conform invenţiei este caracterizat prin aceea că, în scopul cuplării fototranzistorului cu un ghid de undă, se utilizează o structură de tranzistor, cu o singură poartă, poartă inferioară, cu un canal superficial (8) şi slab dopat, realizat prin implantare ionică cu B11, printr-un strat de oxid (7) (0,1 mium), doza 5x1011cm-2, la 50 keV. Procedeul integrează fototranzistorul cu efect de câmp, cu un ghid de undă, format dintr-un miez de SiON (9), de grosime 0,4...0,5 mium, cu indicele de refracţie ng=1.6...2, depus peste un strat de SiO2, de grosime 2 mium, cu indicele de refracţie nSiO2=1.45, cu rol de izolare optică a miezului de substratul de siliciu şi cu un înveliş superior din SiO2 (10), de 0,45 mium.