Description:

Invenţia se referă la un dispozitiv pentru limitarea unei supratensiuni tranzitorii, cu polarizare nedefinită, la o tensiune mai mică de 8V, ?i la un procedeu de realizare a dispozitivului. Dispozitivul conform invenţiei are o caracteristică U-I simetrică ?i are în componenţă o plachetă (2.3) din siliciu monocristalin, de tip n la bază, în care sunt practicate, prin aliere cu aluminiu, două joncţiuni p++ -n (2.9.1, 2.9.2), plasate în opoziţie, placheta (2.3) fiind contactatăohmic între două discuri (2.4 ?i 2.8) metalice, cu un coeficient de dilatare termică foarte apropiat de cel al siliciului, formând astfel o structură dublu limitatoare de tensiune cu polaritatenedefinită, limitarea fiind realizată la tensiune de +/-2,5...+/-8V. Procedeul conform invenţiei, pentru realizarea dispozitivului, constă în aceea că structura specifică metal - p++ -n-p++ -metal este realizată pornind de la plachete de nsiliciu monocristalin, cu grosimea cuprinsă între 250 ?i 400 nium ?i diametrude peste 24 mm, curezistivitatea măsurată ?i grupată la +/-20% în domeniul 2,2 ?i 35 mohm . cm, pe care, prin difuzie termică de bor, se realizează două straturi superficiale de tip p+, cu adâncimea de 15-40 nium, plachete din care se decupează discuri dediametru dorit, în funcţie de puterea urmărită, în care se practică simultan câte două joncţiuni p++ -n adânci, prin aliere simultană, peni?te electrozi metalici, cu coeficient de dilatare termică apropiat de cel al siliciului, iar bizoul creat este decapat ?i protejat prin acoperire cu ră?ină siliconică.