Description:

Invenţia se referă la un procedeu pentru realizarea unui tranzistor cu valvă de spin, cu emitor şi colector semiconductor, şi o bază. Procedeulconform invenţiei constă în aceea că baza tranzistorului este metalică, alcătuită dintr-un multistrat nanostructurat, cu magnetorezistenţă gigant, format din 12 straturi foarte subţiri, dinmetale magnetice şi nemagnetice, depus pe un substrat din siliciu monocristalin porozificat, emitorul fiind structurat în drena unei surse (MOSET)de curent constant, în regim de saturaţie, pentru stabilizarea şi uniformizarea curentului de emisie, arhitectura şi compoziţia multistratului nanostructurat cu magnetorezistenţă gigant, ce reprezintă baza, fiind următoarea: NiFe/Co/Cu80Ag15Au5/NiFe, iar metalele din care este alcătuită baza se depun pe siliciu poros, în atmosferă de argon 99%, la presiune de 30 m Torr şi putere RF de 250 W, în strat nemagnetic intermediar de Cu, fiind adăugate cantităţi mici de surfactanţi: 15% Ag şi 5% Au, argintul segregând la suprafaţa stratului subţire, îmbogăţind calitatea suprafeţei, iar aurul înglobat în reţeaua cristalină a cuprului elimină apariţia punţilor magnetice şi intensifică magnetorezistenţa.