Description:

Invenţia se referă la un procedeu de realizare a unei fotodiode PIN, pentru care, în scopul utilizării pentru comunicaţii prin fibre optice, aria activă a fotodiodei este de geometria şi dimensiunile standard ale fibrei optice, iar tehnologia este optimizată pentru obţinerea vitezei ridicate de răspuns şi a curenţilor de întuneric reduşi. Procedeul conform invenţiei constă în realizarea joncţiunii active prin implant de BF2, tratamentul de recristalizare şi activare care se realizează în timpul procesului de creştere a dioxidului de siliciu ultracurat în mediu ambient de H2+O2+HCl, aceasta realizându-se pe azot. În scopul micşorării curenţilor de întuneric, se realizează metalizarea faţă, utilizând TiAlSi.