Description:

Invenţia se referă la un procedeu de fabricare a unei celule solare, folosind un substrat din siliciu monocristalin. Procedeul conform invenţiei constă în realizarea pe un substrat de plachete din siliciu (1) de tip Czochralski, având o rezistenţă de 1...2 ohm x cm, orientare <100>, care sunt oxidate termic, până la obţinerea unei grosimi a oxidului (2) de 1,8 nium, la o temperatură de 1000°C şi un timp de 300 min/vapori, după care, printr-un proces fitolitografic, este înlăturat oxidul de pe spatele plachetelor, apoi având loc o plusare cu bor din sursă solidă a plachetelor, la o temperatură de 1100°C, într-un timp de 20 min/sursă, pentru obţinerea unui oxid de protecţie (3), cu o grosime de 0,6 nium, după care urmează aplicarea unui proces fotolitografic de texturizare a feţei plachetei, obţinut prin corodarea siliciului prin stratul de mascare de oxid, folosind topografia "reţea tip fagure", la finalul corodării, oxidul folosit ca strat de mascare fiind liftat, lăsând aria activă liberă, după care este efectuată joncţiunea n+ (5) în aria activă realizată prin predifuzie din sursă lichidă de POCl3, urmată de difuzie la o temperatură de 1000°C, timp de 10 min/vapori, fiind obţinută o joncţiune de 0,8 nium, un V/I = 0,5 ohm şi un oxid antireflex (6) de 95 nm.