Description:

Invenţia se referă la un film format din nanocristale ale aliajului (SiGe)Sncu proprietăţi fotosensibile în intervalul 0,60...1,35 μm din VIS - SWIR, şi la un procedeu de realizare a acestuia. Filmul conform invenţiei este depus pe un substrat de (100)Si de tip p, ce are o rezistivitate cuprinsă în intervalul 10...20 Ω cm, fiind format din nanocristale de (SiGe)Sncu grosimea cuprinsă în intervalul 170...220 nm, având domeniul de fotosensibilitate extins de la 0,6 μm în VIS până la 1,35 μm în SWIR, şi responsivitatea de 57...85 mA/W în domeniul lungimii de undă de 0,75...1,10 μm. Procedeul conform invenţiei are următoarele etape: a. curăţarea plachetei substrat de Si în camera albă, prin ultrasonare timp de 15 min în acetonă, 15 min în propanol, şi uscare în flux de Nde puritate 5N; b. depunerea prin pulverizare cu magnetron în atmosferă de Ar de puritate 6N şi flux de 25 sccm, la o presiune de lucru de 4 mTorr, a unui strat de SiGeSn, prin copulverizarea SiGe şi Sn din două ţinte de SiGeşi, respectiv, de Sn, în regim continuu, aplicând pe ţinte puteri de 50, respectiv, 7 W DC; c. efectuarea tratamentului termic rapid în atmosferă de Ar de puritate 6N, la o temperatură cuprinsă în intervalul 510...525°C, timp de 8...10 min, pentru formarea nanocristalelor de SiGeSn, şi d. depunerea electrodului de ITO, de grosime cuprinsă în intervalul 70...80 nm, prin MS pe filmul de SiGeSn, şi a electrodului de Al prin evaporare termică în vid, pe spatele substratului de Si, pentru măsurări de fotoresponsivitate.