Description:

Invenţia se referă la un procedeu şi la o instalaţie pentru obţinerea materialelor de înaltă puritate, implantare ionică şi obţinerea de nanostructuri. Procedeul conform invenţiei constă din folosirea unui câmp electric intens, cu distribuţie radială, generat de o sursă de înaltă tensiune, pentru extracţia ionilor dintr-o probă supusă purificării, fasciculul de ioni astfel obţinut fiind apoi focalizat, şi ionii din aceeaşi specie fiind selectaţi după masa lor, ca urmare a trecerii fasciculului printre armăturile unui condensator plan, alimentat la o tensiune continuă, ionii de acelaşi tip fiind depuşi apoi pe un suport de condensare, obţinând în acest fel materiale de înaltă puritate; pentru implantare ionică, ionii nu vor mai fi depuşi pe suportul de condensare, ci acceleraţi şi implantaţi pe toată suprafaţa unei probe; în ceea ce priveşte obţinerea de nanostructuri, aceasta se poate face prin introducerea de microfire în câmpul electric generat de sursa de înaltă tensiune, dar care acţionează în regim de impulsuri de scurtă durată, astfel încât prin extracţia ionilor de pe suprafaţa microfirelor se pot obţine nanostructuri. Instalaţia conform invenţiei este alcătuită dintr-o cavitate (1) cilindrică, prevăzută cu un sistem de vidare, o sursă (4) de înaltă tensiune, care poate funcţiona în regim continuu sau în regim de impulsuri, un anod (9) de extracţie şi focalizare, unul sau doi condensatori (11) plani, alimentaţi de la o sursă (12) de tensiune continuă, un suport (14) de condensare, cavitatea cilindrică fiind prevăzută cu un capac (15) şi o garnitură (16) de etanşare.