Descriere:

Invenţia se referă la o metodă pentru a induce şi procesa defectele structurale extinse într-un semiconductor, pentru facilitarea extragerii unui strat monocristalin în vederea trasferării pe un substrat al unui dispozitiv multistrat microelectronic. Metoda conform invenţiei cuprinde inducerea controlată a defectelor structurale sub suprafaţa unei plachete din Si prin introducerea plachetei din Si la jumătatea distanţei dintre doi electrozi plan-paraleli, dispuşi într-un tub cu descărcare în gaze, de preferinţă hidrogen la o presiune de lucru de 5....8 Pa şi un flux de 10...20 sccm cuplat capacitiv la un oscilator în domeniul radiofrecvenţei, durata tratamentului fiind de 1 h la o putere a descărcării de 100 W, şi procesarea lor cu ajutorul unui fascicul laser cu o lungime de undă mică de 335 nm în domeniul ultraviolet, în vederea facilitării separării mecanice ulterioare a unui strat superficial monocristalin din Si, cu o grosime mai mică de 50 mm.